RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3650
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link