RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2829
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link