RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
65
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
7.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2124
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link