RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
43
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2874
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link