RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
43
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3024
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link