RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
3552
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link