RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
75
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
2,935.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
7.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
1763
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link