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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3010
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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