RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
2892
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link