RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2323
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link