RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
31
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2236
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link