RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
35
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2664
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link