RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2628
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link