RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
32
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2933
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link