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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2709
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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