RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
86
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
1658
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link