RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2513
3555
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link