RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
68
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2644
2007
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link