RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
32
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
3247
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link