RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424051 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
97
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
1270
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link