RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
1970
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link