RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2438
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link