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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3784
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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