RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
1989
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link