RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
2292
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link