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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
1949
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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