RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2018
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link