RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2843
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Jinyu 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link