RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
49
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2659
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link