RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
80
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1564
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link