RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3085
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link