RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
71
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1979
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link