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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
49
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2739
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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