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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
49
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2681
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston KF560C40-16 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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