RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
62
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3437
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link