RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3429
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link