RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3465
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link