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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Vergleichen Sie
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2808
3335
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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