RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Vergleichen Sie
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
37
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2808
3395
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link