RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2264
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link