RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3772
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link