RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2609
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link