RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
55
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2078
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link