RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1844
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link