RAM-Vergleich Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Gesamtnote

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 19200

Rund um 1.11% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 27

Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.8 16.7

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2756 3147

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns