RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 66

Rund um 47% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.9 9.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.2 7.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 17000

Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2126 2429

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns