RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 34

Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.8 8.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 5.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1682 2795

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns