RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link