RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
94
Rund um 70% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2771
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link