RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link